就像把石頭扔進平靜的湖水會濺出水一樣，用高速離子轟擊固體表面會使近表面的原子（或分子）從固體表面逃逸。這種現(xiàn)象稱為濺射現(xiàn)象。濺射意味著具有足夠高能量的粒子轟擊固體表面以發(fā)射原子。早期的人們認(rèn)為，這種現(xiàn)象源于目標(biāo)的局部加熱。然而，人們發(fā)現(xiàn)濺射和蒸發(fā)有本質(zhì)區(qū)別，人們逐漸認(rèn)識到濺射是轟擊粒子與靶粒子之間動量傳遞的結(jié)果。小型磁控射頻濺射鍍膜儀磁控濺射利用磁場束縛電子的運動，提高電子的電離率。與傳統(tǒng)濺射相比，具有“低溫”和“高速”兩大特點。

　　磁控射頻濺射鍍膜儀具有小型化、標(biāo)準(zhǔn)化的特點。磁控管靶有1英寸和2英寸兩種。客戶可根據(jù)電鍍基板的尺寸進行選擇；電源為150W直流電源，可用于金屬濺射鍍膜。鍍膜儀設(shè)有通風(fēng)接口，可提供保護氣體。儀器標(biāo)配先進的渦輪分子泵，極限真空可達1.0e-5pa。

　　小型磁控射頻濺射鍍膜儀可用于制備單層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜等。與同類設(shè)備相比，單靶磁控濺射鍍膜儀具有設(shè)計小型化、集成度高、體積小等優(yōu)點，是實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備。該設(shè)備配備三個1英寸磁控等離子濺射頭和射頻（RF）等離子電源，該設(shè)備主要用于制作非導(dǎo)電薄膜，特別是一些氧化膜。對于探索新型非導(dǎo)電薄膜，是廉價高效的實驗幫手。

　　小型磁控射頻濺射鍍膜儀主要用于在單晶襯底上制備氧化膜，因此不需要太高的真空度。為了更好地排出真空室中的氧氣，建議用5%H2+95%N2對真空室進行清洗2-3次，可以有效降低真空室中的氧氣含量。請使用純度大于5N的AR進行等離子濺射。即使是5Nar也含有10-100ppm的氧氣和水。因此，建議將鋼瓶內(nèi)的惰性氣體通過凈化系統(tǒng)后引入真空室。