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GaP晶體基片

簡要描述:磷化鎵(GaP)晶體基片

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-09-06
  • 訪  問  量:1356

詳細介紹

產(chǎn)品名稱:

磷化鎵(GaP)晶體基片  


技術(shù)參數(shù):

晶體結(jié)構(gòu):

立方         a =5.4505 ?

生長方法:

提拉法

密度:

4.13  g/cm3

熔點:

1480  oC

熱膨脹系數(shù):

5.3 x10-6  / oC

摻雜物質(zhì):

摻S              不摻雜

方向:

<111>or<100>     <100>or<111>

類型:

N                 N

熱傳導(dǎo)率:

2~8 x1017/cm3       4~ 6 x1016/cm3

電阻率W.cm

~0.03             ~0.3

 EPD (cm-2 )

< 3x105            < 3x105


產(chǎn)品規(guī)格:

晶體方向:<111>,<100>±0.5;

常規(guī)尺寸:dia2"x0.35mm ;dia2"x0.43mmdia3"x0.3mm ;


標準包裝:

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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