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InAs晶體基片

簡要描述：砷化銦（InAs）晶體

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時間：2024-09-06
  • 訪  問  量：1360

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

砷化銦（InAs）晶體

產(chǎn)品簡介：


技術(shù)參數(shù)：

晶體結(jié)構(gòu)：

立方  a =5.4505 ?

生長方法:

CZ

導(dǎo)電類型：

N型

摻雜類型：

不摻雜

載流子濃度：

2 ~ 5E16 / cm3 

遷移率：

>18500cm2/V.S 


常規(guī)尺寸：

常規(guī)晶向：<100>、<111>；

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;拋光情況：單拋或雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

備注：

1000級超凈室100級超凈袋



Other InAs

InSb

InP 

GaAs

GaSb

基片包裝盒系列

薄膜制備設(shè)備

RTP快速退火爐



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