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SiC晶體基片

簡要描述：SiC晶體基片

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時間：2024-09-06
  • 訪  問  量：1987

詳細介紹

產(chǎn)品名稱：

碳化硅(SiC)晶體基片

技術(shù)參數(shù)：

晶胞結(jié)構(gòu)

 六方

晶格常數(shù)

 a =3.08 ?      c = 15.08 ?

排列次序

 ABCACB  (6H)

生長方法

 MOCVD

方向

 生長軸或偏(0001) 3.5°

拋光

 Si面拋光

帶隙

 2.93 eV (間接)

導(dǎo)電類型

 N

電阻率

 0.076 ohm-cm

介電常數(shù)

 e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

熱導(dǎo)率@300K

 5 W / cm . K

硬度

 9.2 Mohs


產(chǎn)品規(guī)格：

摻雜類型：6H N型 <0001> 表示專門摻N的，摻雜濃度是10E18-10E19；4H N型；半絕緣；
常規(guī)尺寸：dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm， 10x10mm,10x5mm；

拋光情況：單拋或雙拋；

表面粗糙度：Ra<10A

常規(guī)晶向 ：<0001>現(xiàn)可供應(yīng)<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，單拋 一種低電阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一種是高電阻率（>10^5 ohm.cm)


標準包裝：

1000級超凈室100級超凈袋包裝或單片盒、插盒裝


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