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氮化鎵（GaN）晶體基片

簡(jiǎn)要描述：GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG（因?yàn)?-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價(jià)位的氮化鎵晶體和基片。

  • 產(chǎn)品型號(hào)：GaN
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間：2024-10-22
  • 訪  問  量：2820

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

氮化鎵(GaN)晶體基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG(因?yàn)?span style="font-family:arial">2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價(jià)位的氮化鎵晶體和基片。

技術(shù)參數(shù)：

制作方法：

HVPE（氫化物氣象外延法）

傳導(dǎo)類型：

N型；半絕緣型

電阻率：

R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm

表面粗糙度：

<0.5nm

位錯(cuò)密度：

<5x106Ω.cm

可用表面積：

>90%

TTV:

≤15um

Bow:

≤20um

 

產(chǎn)品規(guī)格：

晶體方向: <0001>;常規(guī)尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um；

注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒裝

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