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  • Ce:Lu2SiO5晶體基片

    閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中，比如機(jī)場(chǎng)，火車站，自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-09-06
  • GaN薄膜

    氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過(guò)程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-09-06
  • GaP晶體基片

    磷化鎵（GaP）晶體基片

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-09-06
  • DyScO3晶體基片

    與鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)體有很好的晶格匹配 的鐵電薄膜襯底材料

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-09-06
  • GaAs晶體基片

    砷化鎵（GaAs）晶體基片

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    產(chǎn)品價(jià)格：面議
    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-09-06
  • CdTe晶體基片

    碲化鎘（CdTe）晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測(cè)；紅外光學(xué)；外延基片；蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。

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    廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
    更新日期：2024-09-06
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