PMN-PT晶體基片

簡(jiǎn)要描述：PMN-PT晶體基片

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-02-11
訪問(wèn) 量：6232

產(chǎn)品咨詢(xún)聯(lián)系我們

產(chǎn)品分類(lèi)

晶體產(chǎn)品

A-Z系列晶體列表 A-Z系列濺射靶材 A~Z系列金屬單晶，多金，箔片 A~Z系列蒸發(fā)材料功能外延薄膜系列超導(dǎo)薄膜雙晶基片 Ⅲ-Ⅴ族晶體基片激光晶體基片包裝盒，鑷子，儲(chǔ)藏盒，吸筆石墨烯薄膜系列查看全部產(chǎn)品

相關(guān)文章

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱(chēng)：

PMN-PT晶體基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

用改進(jìn)的Bridgman法生長(zhǎng)出了高質(zhì)量的大尺寸弛豫鐵電單晶PMNT，該單晶具有優(yōu)異的壓電性能、非線性光學(xué)性能和熱釋電性能，不僅可以滿足應(yīng)用需要成為新一代高性能壓電換能器、非線性光學(xué)器件和光電探測(cè)器件(如紅外探測(cè)器)的核心材料，而且還為廣大的科研人員提供了良好的研究載體，歡迎國(guó)內(nèi)外各科研院所和公司企業(yè)定購(gòu)我們的單晶產(chǎn)品，進(jìn)行相關(guān)的科學(xué)研究及器件研發(fā)和生產(chǎn)。

技術(shù)參數(shù)：

化學(xué)分子式:	(PbMg0.33Nb0.67O3 )1-x:(PbTiO3)x
結(jié)構(gòu):	R3m, Rhombohedral
晶格:	a0 ~4.024?(pseudo-cubic, varies with composition )
熔點(diǎn):	1280 oC
密度：	8.1 g/cm3
壓電系數(shù)d33	>2000 pC/N
軸接常數(shù)：	k33 (longitudinal mode) >92% kt (thickness mode) 59-62% k33’ (beam mode) 84-88%
介電常數(shù)e ：	4000 – 6000 (at 1kHz after poling)
介電損耗：	tan d<0.9
居里溫度:	135-150°C
矯頑場(chǎng)大概：	2-3kV/cm
標(biāo)準(zhǔn)尺寸：	25× 25× 1mm3 plates along [001]

產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)晶向：<100>, <001>, <111>；

晶向公差：+/-0.5度；

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm,dia20x0.5mm

拋光情況：?jiǎn)螔伝螂p拋，Ra<5A

注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

典型性能：

產(chǎn)品名稱(chēng)：	PMN-PT <001>
密度：	8.1g/cm3
壓電常數(shù)d33：	1800-2400 Pc/N
耦合系數(shù)：	0.6-0.65Kt
耦合系數(shù)：	0.9-0.0.95kp
介電常數(shù)：	5000-7000
損耗：	<1
居里溫度：	145+/-3℃Zggx10（6）kg/m2s:29