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TGG晶體基片

簡(jiǎn)要描述：TGG晶體基片

  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間：2024-09-06
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量：2557

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱(chēng)：

鋱鎵石榴石(TGG)晶體基片


產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

TGG單晶具較大的磁光常數(shù)、低的光損失、高熱導(dǎo)性和高激光損傷閾值， 廣泛應(yīng)用于YAG 、摻Ti藍(lán)寶石等多級(jí)放大、環(huán)型、種子注入激光器中。也是用于制作法拉第旋光器與隔離器的*磁光材料，適用波長(zhǎng)400-1100nm（不包括470nm-500nm）。法拉第旋光器由TGG晶棒和一個(gè)特殊設(shè)計(jì)的磁體組成。穿過(guò)磁光材料的光束的偏振方向?qū)⒃诖艌?chǎng)作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，其偏轉(zhuǎn)方向只與磁場(chǎng)方向有關(guān)，與光束傳播方向無(wú)關(guān)。光隔離器由一個(gè)45度偏轉(zhuǎn)的旋光器和一對(duì)適當(dāng)放置的偏振器組成， 它使光束僅能沿一個(gè)方向通過(guò)，而阻斷反向傳播的光束。


技術(shù)參數(shù)：

 分子式

Tb3Ga5O12

 晶格常數(shù)

a=12.355 

 生長(zhǎng)方法

提拉法

 密度

7.13g/cm3

 莫氏硬度

8.0

 熔點(diǎn)

1725℃

 折射率

1.954          at 1064nm

 溫度系數(shù)

9.4x10-6℃-1

 維爾德常數(shù)

0.12min/Oe.cm  at 1064nm


產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)晶向 ： <111> ；


波前畸變：< 1/8 wave total  （于633nm測(cè)量）；


尺寸公差：±0.05mm ；


倒角：0.13mm  (+0.00mm,-0.08mm) at 45°±5°


注：可以根據(jù)客戶(hù)需要提供特殊尺寸及方向。


標(biāo)準(zhǔn)包裝：

 1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝

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